| 专利名称 | 陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件 | 申请号 | CN200820028674.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201174556 | 公开（授权）日 | 2008.12.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院近代物理研究所 | 发明（设计）人 | 张小奇;张军辉;马力祯;韩少斐 | 主分类号 | H02G3/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H02G3/22(2006.01)I | 专利有效期 | 陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件 至陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型主要涉及电真空领域，在真空情况下的电功率馈人器件。所述的陶瓷- 金属封接的高压真空穿墙件，包括有内导体(7)，其两端为电缆接线端，外部设有内陶瓷 绝缘套(6)，其主要特点在于：在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4) 和外导体小环(5)，在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3)， 真空法兰(1)设于接地导体(2)的外环，并与之相连接。本实用新型的有益效果是： 其耐压性能增强，整个陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件的真空漏率好于1×10-10Pa·l/s； 电感值实测为0.08μH；大截面的导体结构可以承载数千安培的电流。 |
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