| 专利名称 | 提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 申请号 | CN201110005057.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592988A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;刘金彪;赵超 | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/3115(2006.01)I | 专利有效期 | 提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法 至提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性方法，在针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺之前，对氧化硅层的凸出部分进行倾角离子注入，利用离子注入的能量效应对氧化硅成键状态进行破坏，因此在随后针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺中，研磨液对凸出部分的化学腐蚀作用得到增强，提高了凸出部分材料的移除速率，从而在研磨过程中，氧化硅层中存在的高度落差不会传递下去，避免了氧化硅凹陷的产生，得到了平坦的氧化硅表面，消除了随后存在金属残留的可能，从而提高器件电学性能和成品率。 |
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