| 专利名称 | 半导体器件及其制作方法 | 申请号 | CN201110005924.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592966A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制作方法 至半导体器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层中形成沟槽，该沟槽的侧壁的至少底部一部分向沟槽外侧倾斜；在沟槽中填充电介质材料；减薄第一半导体层，使得第一半导体层相对于电介质材料凹入；以及在第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中第一半导体层的材料与第二半导体层的材料不同。根据本发明，可以有效地抑制异质外延生长过程中形成的缺陷。 |
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