| 专利名称 | 用于热释光和光释光的掺铜铝酸钇晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201010182403.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101831702A | 公开（授权）日 | 2010.09.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 陈建玉;赵广军;董勤;丁雨憧;王鑫 | 主分类号 | C30B29/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/20(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于热释光和光释光的掺铜铝酸钇晶体及其制备方法 至用于热释光和光释光的掺铜铝酸钇晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于热释光和光释光的掺铜铝酸钇晶体及其制备方法，该掺铜铝酸钇晶体的化学式为：Y(1-x):AlO3:Cux，式中，x＝0.001～0.1，x为掺杂离子Cu2+与Y原子的摩尔比。掺铜铝酸钇晶体是采用熔体法生长的。本发明掺铜铝酸钇晶体能够在吸收高能射线辐射能后实现热致释光或光致释光，并具有良好的剂量线性响应，是一种性能较好的辐射剂量计的释光材料。 |
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