| 专利名称 | 一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法 | 申请号 | CN201010176879.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101831056A | 公开（授权）日 | 2010.09.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 薛立新;葛子意;戴宁 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法 至一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法。本发明高光转化率的含氟聚噻吩光电材料具有含氟聚噻吩受体-聚噻吩-聚噻吩给体的三嵌段高分子结构，其中含氟聚噻吩受体是含氟烷基链的聚噻吩。与现有技术相比，本发明含氟聚噻吩光电材料在聚噻吩结构中引入了强吸电子的含氟基团，提高了电子接受能力；利用可控分步催化剂转移聚合法，合成结构规整的含氟聚噻吩受体-聚噻吩-聚噻吩给体的三嵌段聚噻吩高分子结构，具有缺陷少、载流子损失率低和光转化率高的特点，因而可以用于有机薄膜太阳能电池领域，为制备出高光转化率的太阳能电池提供了一种理想的材料。 |
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