| 专利名称 | 半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201010620578.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543748A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 唐波;闫江 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件的制造方法 至半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件制造方法，采用普通光学曝光和电子束曝光相结合的混合曝光方法，对包括大线条和精细线条的同一图层进行图案化，其中，采用普通光学曝光对大线条进行曝光，采用电子束曝光对精细线条进行曝光，这样，在确保精细线条的形成质量同时，减少了曝光时间，提高了产能。 |
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