| 专利名称 | 硅微压电超声换能器 | 申请号 | CN200720169897.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201079775 | 公开（授权）日 | 2008.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院声学研究所 | 发明（设计）人 | 郝震宏;乔东海 | 主分类号 | B06B1/06(2006.01)I | IPC主分类号 | B06B1/06(2006.01)I;H01L27/20(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 专利有效期 | 硅微压电超声换能器 至硅微压电超声换能器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种硅微压电超声换能器，包括具有硅杯结构的硅基 片，位于该硅基片上的支撑层以及位于支撑层上的N个压电换能单元；其 特征在于，所述硅基片的硅杯结构上部具有选择性掺杂层，该选择性掺杂 层上具有N个与所述压电换能单元相对应的通孔。与现有技术相比，本实 用新型能否达到以下技术效果：本实用新型可以用常规的体硅刻蚀工艺实 现密排阵元的薄膜压电换能器阵列，该阵列的阵元间距不受阵元间侧墙厚 度及倾角的限制，可根据阵列设计需要任意调整。 |
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