| 专利名称 | 半导体晶片的制造方法 | 申请号 | CN201010591794.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543671A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;赵超 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体晶片的制造方法 至半导体晶片的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体晶片的制造方法，包括：加热，使金属材料溶解到晶片中的半导体材料中，从而产生半导体-金属化合物；以及冷却，使所产生的半导体-金属化合物逆熔化，而形成金属半导体混合物。根据本发明的实施例，利于得到适用于半导体制造工艺的高纯度晶片。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障