| 专利名称 | MOS晶体管及其形成方法 | 申请号 | CN201010618284.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544098A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;杨达;赵超 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | MOS晶体管及其形成方法 至MOS晶体管及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅堆叠结构，所述栅堆叠结构包括依次位于所述半导体衬底上的栅介质层和栅电极；源区和漏区，位于所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中；牺牲金属侧墙，位于所述栅堆叠结构的侧壁，且具有张应力或压应力。本发明有利于降低等效氧化层厚度，增强器件一致性，提高载流子迁移率，增强器件性能。 |
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