| 专利名称 | 制备硅基砷化镓材料的方法 | 申请号 | CN201210032751.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102534768A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;张心;潘教青;王圩 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 制备硅基砷化镓材料的方法 至制备硅基砷化镓材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：在硅衬底1上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；采用MOCVD的方法，先在沟槽内生长第一缓冲层，然后在沟槽内的第一缓冲层上生长第二缓冲层，其厚度超出二氧化硅层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在第三缓冲层上生长顶层；各层采用SiH4掺杂；采用化学机械抛光的方法，将顶层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm，完成材料的制备。本发明可制备高质量Si基GaAs材料，为Si基GaAs器件奠定衬底基础，特别是高迁移微电子器件和解决硅基发光提供了一种可行方案。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障