| 专利名称 | 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 | 申请号 | CN201210075720.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102534769A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 梁萌;李鸿渐;姚然;李志聪;李盼盼;王兵;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | C30B25/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/04(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 专利有效期 | 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 至在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一第一非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在第一非故意掺杂氮化镓层上生长一第二非故意掺杂氮化镓层；步骤6：在第二非故意掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明可以使得氮化镓外延层有较低的缺陷密度一尤其是穿透性位错缺陷，因此能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有很宽的生长工艺窗口。 |
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