| 专利名称 | 一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法 | 申请号 | CN201210027790.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102560565A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘丽;岳衢;胡承刚;张铁军;李飞;罗先刚;邱传凯;周崇喜 | 主分类号 | C25D1/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D1/04(2006.01)I;C25D1/10(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法 至一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。 |
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