| 专利名称 | 泄漏结构大模场双包层单模掺镱光纤 | 申请号 | CN200720070556.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201044001 | 公开（授权）日 | 2008.04.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 楼祺洪;李立波;周军;吴国华;董景星;魏运荣 | 主分类号 | G02B6/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/02(2006.01)I | 专利有效期 | 泄漏结构大模场双包层单模掺镱光纤 至泄漏结构大模场双包层单模掺镱光纤 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种泄漏结构大模场双包层单模掺镱光纤，包括纤芯、内包层及外包层，其特 征是在所述的纤芯和内包层之间还有中间层和泄漏层，所述的纤芯是掺镱石英玻璃， 所述的纤芯、中间层、泄漏层、内包层和外包层的折射率分别为n1、n2、n3、n4、n5， 且n5＜n4＜n2＜n3＝n1，所述的纤芯的半径为a，中间层的最大半径为b，1.5a＜b＜2a， n1通常在1.46～1.47之间，0.27％＜Δ＝(n1-n2)/n1＜0.54％。本实用新型泄漏结构大模场 双包层单模掺镱光纤可利用传统双包层光纤的拉制方法拉制，具有较大纤芯时，仍 能保证高功率单模运行。 |
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