| 专利名称 | 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片 | 申请号 | CN201210019745.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544043A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 邓洪海;唐恒敬;李淘;李雪;魏鹏;朱耀明;王云姬;杨波;龚海梅 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I | 专利有效期 | 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片 至一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻的子像元有效吸收，在探测器量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀。另外，这种结构减少了扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。本设计是一种可以抑制串音、降低器件盲元率及器件暗电流的新型平面型器件结构。 |
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