| 专利名称 | 开口的填充方法 | 申请号 | CN201010590432.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543835A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵超;王文武;钟汇才 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 开口的填充方法 至开口的填充方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种开口的填充方法，包括：提供半导体衬底，至少具有底层金属连线层和底层金属连线层上方隔离介质层，隔离介质层中具有开口；在开口内和开口外的隔离介质层表面依次形成扩散阻挡层和籽晶层；在开口外的籽晶层表面形成掩膜层；在具有掩膜层的半导体衬底上覆盖金属层，金属层将开口填充。在开口内和开口外的隔离介质层表面依次形成扩散阻挡层和籽晶层，而开口外的籽晶层表面形成有掩膜层，在掩膜层的阻挡作用下，后续在半导体衬底上沉积金属层的过程中，金属层并不是在开口内外的表面上同时沉积，而是先将开口内部填充，然后才沉积在开口外表面，从而能够避免缩颈现象的出现，减小或消除了空洞缺陷产生的概率，提高电路的可靠性。 |
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