| 专利名称 | 大功率太赫兹量子级联的激光器的制备方法 | 申请号 | CN201210017845.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102545061A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 曹俊诚;黎华 | 主分类号 | H01S5/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/40(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 大功率太赫兹量子级联的激光器的制备方法 至大功率太赫兹量子级联的激光器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种大功率太赫兹量子级联的激光器的制备方法。根据本发明的方法，先基于蒙特卡洛模拟法来模拟多个不同参数下的预定结构的有源区的电传输及输出增益特性，以获得优化的一组参数；随后再基于所获得的一组参数来制备包含所述预定结构的有源区的太赫兹量子级联的激光器。本发明采用了基于蒙特卡洛模拟法所获取的参数来制备大功率太赫兹量子级联的激光器，使得所制备出的激光器因参数的优化而具有大激射光功率输出。 |
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