| 专利名称 | 提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 申请号 | CN201010607041.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543714A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法 至提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性方法，在针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺之前，采用一步氧化硅刻蚀工艺，使得相邻多晶栅之间的氧化硅层与多晶栅正上方的氧化硅层的高度落差大幅减小，因此，较小的高度落差对化学机械平坦化工艺的影响也会大大减轻，从而在研磨过程中，高度落差不会传递下去，极大地减小氧化硅层中的凹陷，得到了平坦的氧化硅表面，消除了随后存在金属残留的可能，从而提高器件电学性能和成品率。 |
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