| 专利名称 | 自对准金属硅化物的形成方法 | 申请号 | CN201010599252.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569048A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超;钟汇才 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 自对准金属硅化物的形成方法 至自对准金属硅化物的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅堆叠结构，所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上、所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙；形成金属层，覆盖所述半导体衬底、栅堆叠结构和牺牲侧墙的表面；对所述半导体衬底进行热处理，使所述金属层与所述源区、漏区的半导体衬底以及牺牲侧墙之间发生反应；去除所述牺牲侧墙和未反应的金属层。本发明能够减弱或避免自对准金属硅化物的横向扩散问题，有利于提高器件的性能和可靠性。 |
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