| 专利名称 | SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法 | 申请号 | CN201010601185.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569062A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;贺晓斌;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法 至SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法，其中将包含SOG层或光抗蚀剂层的晶片放置在反应室中，向反应室中流入刻蚀气体，并且向晶片施加RF功率以产生等离子体，等离子体中的高能离子侵蚀SOG层或光抗蚀剂材料并与之反应，以平整SOG层或光抗蚀剂层的表面，其中，控制反应室气压，使得对SOG层或光抗蚀剂层中央的刻蚀速率大于对晶片边缘位置的刻蚀速率，以获得SOG层或光抗蚀剂层的凹形刻蚀剖面形状。本发明可用于在集成电路中提供近全局平坦化的隔离结构。 |
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