| 专利名称 | 一种钨基面向等离子体材料及其制备方法 | 申请号 | CN201210048323.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102560292A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 罗广南;赵四祥;刘凤;李强;王万景;谢春意 | 主分类号 | C22C47/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C47/14(2006.01)I;C22C49/14(2006.01)I;C22C49/10(2006.01)I;C22C111/02(2006.01)N | 专利有效期 | 一种钨基面向等离子体材料及其制备方法 至一种钨基面向等离子体材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种钨基面向等离子体材料及其制备方法，其是由利用不至于损伤钨纤维的混粉方法使钨粉粉末与钨纤维混合均匀，然后利用热等静压工艺烧结制备块体纤维增韧钨基材料而得，且所述的钨粉是纯钨粉末、钨铼合金粉末，或掺杂碳化物和氧化物的钨粉粉末中的一种，所述的钨纤维是纯钨丝或钨铼等合金丝。本发明具有高导热、高熔点摄氏度、低溅射产额、低氢同位素滞留和低蒸气压的优点，同时成本低，具有较大的韧性。 |
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