专利名称 | 氮化镓基LED芯片立式封装的方法 | 申请号 | CN201210060166.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN102569566A | 公开(授权)日 | 2012.07.11 | 申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 谢海忠;张逸韵;卢鹏志;王晓桐;杨华;李璟;伊晓燕;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基LED芯片立式封装的方法 至氮化镓基LED芯片立式封装的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法,具体步骤包括:超声波清洗功率型LED支架,烘干;在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶,光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同;用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置,然后放入烘箱烘烤,使LED芯片固定于支架上;用金线将LED芯片的电极与LED支架相连;将LED芯片与LED支架一起浸泡,使打好金线的LED芯片与LED支架分离;将银浆涂覆在功率型LED支架上,然后将LED芯片竖立地固定在LED支架上,以LED芯片侧面接触LED支架;在竖立的LED芯片的表面涂覆荧光粉;在LED芯片上方的上方盖合一透镜;在透镜内填充硅胶,并固化,完成LED芯片立式封装的制备。提高了LED器件的提取效率,同时也大大改善了其远场分布。 |
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