| 专利名称 | 用于超浅结注入的离子源装置 | 申请号 | CN201110004958.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592934A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘金彪;张琦辉;宋希明;张浩;李琳;刘强;丁明正;李俊峰;赵超 | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/317(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 用于超浅结注入的离子源装置 至用于超浅结注入的离子源装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供了足够的分子电离，有效地提高了注入的效率和可靠性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障