| 专利名称 | 层间电介质的近界面平坦化回刻方法 | 申请号 | CN201110003118.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592989A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孟令款;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 层间电介质的近界面平坦化回刻方法 至层间电介质的近界面平坦化回刻方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种层间电介质层(ILD)的近界面平坦化回刻方法，包括：在晶圆表面通过化学气相沉积或者氧化方法沉积或生长一层厚的SiO2；旋涂一层SOG，然后热处理获得较为均匀的叠层结构；利用等离子体刻蚀进行SOG回刻，接近SiO2近界面时停止；等离子回刻余下的近界面SOG/SiO2结构直到所需厚度。由于采用了近界面两步刻蚀，得到了极佳的ILD平整表面，不仅在晶片中心区而且乃至在边缘处也仍然能得到平坦整齐的ILD表面。 |
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