| 专利名称 | 一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法 | 申请号 | CN201210093924.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593357A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;吕士龙 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法 至一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法，结合FIB设备特有的纳米加工性能以及半导体公司规模化加工能力的快速表征材料纳米存储性能，本发明将有助于快速表征材料于50nm以下时的信息存储性能，同时可以加快材料的开发速度。本发明制备的相变存储器上可形成横向电极结构，在该横向电极结构的基础之上，根据需要利用聚焦离子束系统可以对横向电极结构进行二次加工，最终可得到更小的电极结构，对材料纳米尺度存储性能的研究提供了更大的便利。 |
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