器件性能预测方法及器件结构优化方法

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专利名称 器件性能预测方法及器件结构优化方法 申请号 CN201110005923.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102591999A 公开(授权)日 2012.07.18 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才;李萌 主分类号 G06F17/50(2006.01)I IPC主分类号 G06F17/50(2006.01)I 专利有效期 器件性能预测方法及器件结构优化方法 至器件性能预测方法及器件结构优化方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本申请公开了一种器件性能预测方法及器件结构优化方法。根据本发明的实施例,半导体器件的结构参数和/或工艺参数集构成参数空间中的参数点,并且针对参数空间中多个离散的预定参数点建立了行为模型库,行为模型库将预定参数点与相应的器件性能指标值相关联。该器件性能预测方法包括:输入待预测其相应性能指标值的参数点,即预测点;以及如果在行为模型库中存在预测点的对应项,则输出相应性能指标值作为该预测点的预测性能指标值;以及如果行为模型库中不存在预测点的对应项,则通过根据Delaunay三角剖分进行插值计算,来得到预测点的预测性能指标值。

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