| 专利名称 | 低温气相还原的高导电石墨烯材料及其制备方法 | 申请号 | CN201210019931.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102583340A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 万冬云;黄富强;杨重寅;林天全 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 低温气相还原的高导电石墨烯材料及其制备方法 至低温气相还原的高导电石墨烯材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明的课题是提供一种低温气相还原的高导电石墨烯材料的制备方法。制备方法利用具有高温区和低温区的多温区加热设备，通过将具有氧化石墨烯的低温区和具有还原剂的高温区加热至一定的温度，还原出高导电石墨烯。本发明的高导电石墨烯材料的制备方法，在低温条件下，实现氧化石墨烯在较低的温度下快速、高效还原，低温气相反应保持了氧化石墨烯较完整的结构，从而制备出高导电的石墨烯粉或石墨烯纸和高透光、高导电的石墨烯薄膜。本发明制备的石墨烯材料导电性、力学强度和柔韧性良好，可有效地解决现有高温热处理或低温液相化学还原方法破坏石墨烯结构的瓶颈问题。 |
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