| 专利名称 | 一种金属酞菁纳米线的制备方法 | 申请号 | CN201110072548.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102206863A | 公开（授权）日 | 2011.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 刘颖丹;潘革波 | 主分类号 | C30B29/54(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/54(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金属酞菁纳米线的制备方法 至一种金属酞菁纳米线的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种生长单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线的制备方法，其特征在于包括步骤：I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料，将所述原料取料与衬底一并置入容器中以备加热生长；II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10-2Pa，对所述容器实施加热，使得原料在450℃-500℃下恒温生长20min-60min后随容器冷却至常温，在硅衬底上生长形成单分散的平贴衬底的金属酞菁纳米线。应用本发明方法制备单分散平贴衬底的金属酞菁纳米线，工艺简单易行、成本低，酞菁纳米线与硅衬底接触良好，为进一步研究单晶金属酞菁纳米线的场效应特性提供可能。 |
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