| 专利名称 | 具有应力结构的场效应晶体管器件 | 申请号 | CN201120034184.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202003995U | 公开（授权）日 | 2011.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 具有应力结构的场效应晶体管器件 至具有应力结构的场效应晶体管器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型的具有应力结构的场效应晶体管器件包括：具有NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底；在半导体衬底中形成的属于NMOS区域及PMOS区域的源极区和漏极区；在半导体衬底中的位于NMOS区域的源极区和漏极区之间的第一沟道区，以及PMOS区域的源极区和漏极区之间的第二沟道区；NMOS区域的第一沟道区上方的第一栅堆叠和位于PMOS区域的第二沟道区上方的第二栅堆叠。第一栅堆叠包括第一栅介质层和其上的第一导电栅极层。第二栅堆叠包括第二栅介质层和其上的第二导电栅极层。该器件还包括在第一栅堆叠侧壁的具有拉应力性质的第三应力结构，在第二栅堆叠的侧壁的具有压应力性质的第四应力结构。该场效应晶体管器件能够提高NMOS器件的拉应力和PMOS器件的压应力，从而提高器件性能。 |
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