| 专利名称 | 一种磁饱和式单相可控电抗器 | 申请号 | CN201110044168.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102208245A | 公开（授权）日 | 2011.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 张国强;李康 | 主分类号 | H01F21/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F21/08(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I;H01F27/30(2006.01)I;H01F27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁饱和式单相可控电抗器 至一种磁饱和式单相可控电抗器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种磁饱和式单相可控电抗器，包括由主铁心柱(1)、两个旁柱(3、4)、两个旁轭(10、11)构成的铁心，两个工作绕组(2、7)，控制绕组(5、6)。主铁心柱(1)为单柱、等截面，由带间隙的多个铁心饼叠积而成。两个工作绕组(2、7)套在主铁心柱(1)上。控制绕组(5、6)套在两个旁柱(3、4)上或两个旁轭(10、11)上；两个旁柱(3、4)为等截面铁心，尺寸相同，两个旁柱(3、4)的截面积均为主铁心柱(1)截面积的二分之一；两个旁轭(10、11)为等截面铁心，且尺寸相同，两个旁轭(10、11)的截面积均为主铁心柱(1)截面积的二分之一。两个工作绕组成梯形相对布置，两个工作绕组(2、7)的梯形上底一端连接在一起作为高压首端，两个工作绕组(2、7)的梯形下底一端连接在一起构成高压末端。 |
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