| 专利名称 | 一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法 | 申请号 | CN201110133302.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102208491A | 公开（授权）日 | 2011.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 李涛;周春兰;王文静 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法 至一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法。该方法采用质量浓度0.5％～3％的氢氟酸溶液处理氮化硅表面，持续时间5～120秒，以减小薄膜与溶液的接触角，进而增加薄膜表面的亲水性。 |
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