| 专利名称 | InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法 | 申请号 | CN201110101381.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102201516A | 公开（授权）日 | 2011.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 程国胜;刘海滨 | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法 至InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法。该LED包括依次生长在衬底上的低温GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型AlGaN层和p型GaN层，所述有源区是由垂直于衬底的InGaN纳米柱阵列组成的。其制备方法包含如下步骤：将衬底放入材料生长设备中，通入Ga源和N源生长GaN低温缓冲层；升高温度，通入n型掺杂源在GaN低温缓冲层上生长n型GaN薄膜；降低温度，在n型GaN薄膜上生长垂直InGaN纳米柱阵列；升高温度，通入p型掺杂源在InGaN纳米柱阵列上生长p型掺杂AlGaN层；在p型掺杂AlGaN层上生长p型GaN层。本发明可以减弱极化场对LED发光效率的不良影响，提高出光效率，并增大有源区的体积。 |
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