| 专利名称 | FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器 | 申请号 | CN201110093303.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102201648A | 公开（授权）日 | 2011.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑婉华;周文君;陈微;刘安金;王海玲 | 主分类号 | H01S5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/18(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 专利有效期 | FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器 至FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了本发明公开了一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器，该激光器具有深刻蚀孔的光子晶体结构，该光子晶体结构具有带边面发射性质，且位于FP脊形条上，FP脊形条宽度较宽，FP腔长度较长，P电极完全位于脊形条上，根据光子晶体的对称性，可以扩展FP腔的结构。利用本发明，能够实现低成本的电注入光子晶体带边面发射激光器，且本结构可以用于集成光路中特征信号的读出器，通过对FP腔结构的扩展，可以实现多通道耦合增强。 |
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