| 专利名称 | 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法 | 申请号 | CN201110117457.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102201484A | 公开（授权）日 | 2011.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 李超;李向阳;许金通;刘福浩;张燕;刘向阳;乔辉 | 主分类号 | H01L31/109(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/109(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法 至具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本专利公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件及制备方法，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆电极，该p包裹型欧姆电极为方形或圆形，将p型微台面包裹起来，边缘落于p型微台面下p型薄膜层表面；将p型薄膜层和本征薄膜层刻蚀形成器件台面，该器件台面为方形或圆形，边长或半径大于p型微台面边长或半径20-100μm；沉积环形或长条形n型欧姆电极。本器件的结构有利于提高器件的外量子效率、响应抑制比和灵敏度，器件暗电流也得到进一步的降低。 |
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