| 专利名称 | 一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法 | 申请号 | CN201110124788.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102201404A | 公开（授权）日 | 2011.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;夏超;王中健;俞跃辉;何大伟;徐大伟 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法 至一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：SOI衬底，位于SOI衬底上的N阱区和P阱区，位于所述N阱区之上的阳极接触端以及位于所述P阱区之上的阴极接触端，其中，所述N阱区和P阱区之间形成横向的PN结，在所述PN结之上设有场氧区。本器件可以在ESD来临时，及时的泄放ESD电流，避免栅氧击穿或者大电流流入电路内部，造成电路损伤。可以通过调节器件参数来调整器件的触发电压和维持电压，使其可以用于不同内部电压的电路保护，避免功率局部集中。能够在HBM（人体模型）中实现抗ESD电压达到2kV以上，达到了目前人体模型的工业标准。 |
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