| 专利名称 | 多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法 | 申请号 | CN201110412636.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102446721A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汤益丹;申华军;白云;李博;周静涛;刘焕明;杨成樾;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/266(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法 至多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法包括用归一法计算出单能离子注入浓度下降速率与离开平均投影射程的关系因子，根据所需掺杂浓度分布及采用能量组合个数，确定选用单能离子注入的关系因子，确定能量组合；利用经验因子和经验公式的反推方法确定能量组合中单个能量的剂量值，并通过剂量微调形成各高、低浓度掺杂段的箱型掺杂浓度分布；将箱型掺杂浓度分布通过引入掩蔽牺牲层设计实现阶梯状掺杂浓度分布拐点处的陡直变化，消除箱型注入分布前拖尾，形成拐点处陡直的箱型掺杂浓度分布；将各掺杂段箱型掺杂浓度分布，去除掩蔽牺牲层，通过线性叠加成阶梯状掺杂浓度分布，通过微调各掺杂段台阶处剂量完成阶梯状掺杂浓度分布的陡直性设计。 |
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