| 专利名称 | 一种太赫兹波探测器 | 申请号 | CN201010297633.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102445711A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孙云飞;孙建东;曾春红;周宇;吴东岷;秦华;张宝顺 | 主分类号 | G01V8/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01V8/00(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种太赫兹波探测器 至一种太赫兹波探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种太赫兹波探测器，以具有较高二维电子浓度的高电子迁移率场效应晶体管为基本结构单元，场效应晶体管具有源电极、栅电极和漏电极，其特征在于：太赫兹波探测器的器件结构包括三个引线电极、三个低通滤波器以及一组太赫兹波耦合天线，场效应晶体管的三个电极与太赫兹波耦合天线相连，共同作为天线；并且三个电极分别通过一低通滤波器与对应的引线电极相连。本发明通过低通滤波器把天线跟引线电极隔离，能够保证天线的谐振性能，阻止由天线产生的高频THz波信号通过直导线向引线电极泄漏而导致器件响应度的下降；欧姆接触同时为源、漏电极和天线结构，使得器件结构紧凑，便于集成，为实现太赫兹波探测器的阵列化和大规模应用奠定基础。 |
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