一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法

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专利名称 一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法 申请号 CN201110347831.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102443231A 公开(授权)日 2012.05.09 申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 薛立新;刘富;王益;朱琦良 主分类号 C08L27/08(2006.01)I IPC主分类号 C08L27/08(2006.01)I;C08K13/02(2006.01)I;C08K5/12(2006.01)I;C08K5/523(2006.01)I;C08K5/103(2006.01)I;C08K5/521(2006.01)I;C08K5/10(2006.01)I;C08K5/11(2006.01)I;B29C49/04(2006.01)I;B29C47/92(2006.01)I;B29C55/12(2006.01)I;B29B7/80(2006.01)I;B29L7/00(2006.01)N 专利有效期 一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法 至一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法。本发明方法通过在PVDC的共聚物中加入一定比例的助剂,同时加入少量热稳定剂、润滑剂和无机氧化物,即首先进行助剂的复配,然后将助剂和PVDC树脂按照一定的比例、顺序进行共混,最后通过单螺杆挤出机经过吹塑工艺,吹制成膜。本发明方法采用新型的增塑剂及优化配比,可以降低总的助剂添加量,由此制备的PVDC薄膜,膜面平整光滑,可消除尺寸大于40微米的晶点,所得薄膜具有较高的机械强度,以及较高的水蒸气和氧气阻隔性,适用于食品包装或者药品包装领域。

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