| 专利名称 | 宽带低电场增强反射金属介电光栅 | 申请号 | CN201110138942.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102193126A | 公开（授权）日 | 2011.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 周常河;胡安铎 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | 专利有效期 | 宽带低电场增强反射金属介电光栅 至宽带低电场增强反射金属介电光栅 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于1053纳米波段的宽带低电场增强反射金属介电光栅，其结构为熔融石英基底上依次分别镀上铬膜层、金膜层和熔融石英层，在熔融石英层上刻蚀矩形槽光栅，该光栅的周期为558～567纳米，占空比为0.15～0.25，刻蚀深度为620～622纳米，连接层厚度为488～492纳米。本发明在TE偏振光以76～78度角入射时，可以实现80纳米波长带宽内(1010～1090纳米)光栅内部最大电场电场强度增强低于2，至少20纳米波长带宽内(1040～1060纳米)-1级衍射效率高于90％。 |
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