| 专利名称 | 高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构 | 申请号 | CN201010118896.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102194859A | 公开（授权）日 | 2011.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘洪刚;常虎东;刘新宇;吴德馨 | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构 至高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高迁移率III-V族半导体MOS界面结构，该结构自下而上依次包括：一单晶衬底(101)；一在该单晶衬底(101)上表面形成的缓冲层(102)；一在该缓冲层(102)上形成的量子阱底部势垒层(103)；一在该量子阱底部势垒层(103)上形成的高迁移率量子阱沟道(104)；一在该高迁移率量子阱沟道(104)上形成的量子阱顶部势垒层(105)；一在该量子阱顶部势垒层(105)上形成的界面控制层(106)；一在该界面控制层(106)上形成的高K栅介质(107)；以及一在该高K栅介质(107)上形成的金属栅结构(108)。本发明同时实现高载流子迁移率与低界面态密度，满足高性能III-V族半导体CMOS技术的要求。 |
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