| 专利名称 | 一种非线性光学及铁电晶体二甲基铵四硼酸锗及其制备和用途 | 申请号 | CN201010116292.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102191548A | 公开（授权）日 | 2011.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 杨国昱;曹高娟 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B7/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非线性光学及铁电晶体二甲基铵四硼酸锗及其制备和用途 至一种非线性光学及铁电晶体二甲基铵四硼酸锗及其制备和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种非线性光学及铁电晶体二甲基铵四硼酸锗及其制备和用途。其化学式为[Ge(B4O9)]·2CH3NH3，分子量为323.97，属单斜晶系，空间群C2，单胞参数为a＝10.249(1)，b＝9.449(1)，α＝γ＝90°，β＝131.76(2)°，Z＝2。采用溶剂热法制备。二甲基铵四硼酸锗具有优良的非线性光学和铁电性能。其粉末SHG系数为KDP的2.0倍，与LBO相当。其剩余极化强度大约为0.98μC·cm-2，矫顽电场为22kV·cm-1，自发极化强度为1.26μC·cm-2。 |
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