| 专利名称 | 一种反应助剂促进烧结硼化锆或碳化锆陶瓷的制备方法 | 申请号 | CN201010127334.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102190495A | 公开（授权）日 | 2011.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 张国军;王新刚;阚艳梅;王佩玲;郭伟明 | 主分类号 | C04B35/58(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/58(2006.01)I;C04B35/56(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种反应助剂促进烧结硼化锆或碳化锆陶瓷的制备方法 至一种反应助剂促进烧结硼化锆或碳化锆陶瓷的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种反应助剂促进烧结硼化锆或碳化锆陶瓷的制备方法，采用添加可以反应的两相烧结助剂Zr粉和C粉或者为Zr粉和B4C粉，利用烧结助剂之间原位反应生成的具有较高烧结活性的碳化锆/硼化锆第二相粒子，来促进材料的致密化并抑制基体的晶粒长大。采用本发明的制备方法所获得的ZrB2或ZrC基块体材料，相对密度大于97％，室温弯曲强度500～800MPa，断裂韧性3.5～6.5MPa·m1/2，硬度14～20GPa。原位反应生成的第二相具有和基体同样高的熔点，保证了烧结助剂不会对材料的高温力学性能带来不利的影响。 |
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