| 专利名称 | 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法 | 申请号 | CN201010546604.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101979707A | 公开（授权）日 | 2011.02.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 发明（设计）人 | 夏洋;饶志鹏;刘键 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法 至一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯的制备技术，具体涉及一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法，通过形成一种含有碳原子且碳原子具有未成键电子的物质，与衬底表面原子形成共价键，实现稳定的化学吸附。本发明应用于原子层沉积技术制备石墨烯薄膜，该吸附方法简单易行，能够实现稳定的碳化学吸附。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障