| 专利名称 | 一种磁控管溅射装置 | 申请号 | CN200620089273.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2890079 | 公开（授权）日 | 2007.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 肖金泉;张小波;孙超;宫骏;华伟刚;石南林;闻立时 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01) | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01);H01J25/50(2006.01) | 专利有效期 | 一种磁控管溅射装置 至一种磁控管溅射装置 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，更 具体地，涉及一种在真空溅射镀膜时使用的溅射装置，包括： 磁控管(1)和电磁线圈(6)，彼此同轴相对放置，其中电磁线圈(6) 可以沿着磁控管(1)中心轴线远近移动。通过控制电磁线圈(6) 的电流大小及方向，和改变电磁线圈与磁控管的相对位置，可 以方便有效地改变磁控管和基片区域的磁场位形分布，改变基 片区域的等离子体密度。此外当电磁线圈(6)通以低频交流电 时，靶材表面的刻蚀跑道变宽，刻蚀更均匀，可以简单有效的 提高靶材利用率，同时可以改善沉积薄膜的厚度和性能在空间 上的不均匀。本实用新型具有结构简单，方便、易操作等特点。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障