| 专利名称 | 硒稼硅银化合物、硒稼硅银非线性光学晶体及制法和用途 | 申请号 | CN201010528888.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102453960A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 姚吉勇;梅大江;尹文龙;傅佩珍;吴以成 | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 硒稼硅银化合物、硒稼硅银非线性光学晶体及制法和用途 至硒稼硅银化合物、硒稼硅银非线性光学晶体及制法和用途 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明涉及硒稼硅银化合物、硒稼硅银非线性光学晶体及制法和用途；该硒稼硅银化合物及晶体的化学式Ag4-xGa4-xSixSe8，0.85＜x＜1.15；可采用固相反应或气相传输法制备硒稼硅银化合物；采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降等法生长硒稼硅银非线性光学晶体；所得硒稼硅银非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；可用于制备非线性光学器件；所制备的非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块该硒稼硅银非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。 |
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