| 专利名称 | 具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪 | 申请号 | CN200520043341.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2812292 | 公开（授权）日 | 2006.08.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 张志平;程兆谷;高海军;覃兆宇 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01);G01N21/88(2006.01) | 专利有效期 | 具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪 至具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检 测仪，包括激光入射系统和缺陷散射光收集系统，其特点是还 有：散射光强倍增系统，由第一球面反射镜和第二球面反射镜 构成；在第一焦点的第二次反射光路上设有一光陷阱；所述的 缺陷散射光收集系统的光轴与所述的待测硅片的法线之间的 夹角为β；所述的第 一球面反射镜和第二球面反射镜位于一光轴调整架上，待测硅 片的平动和转动由精密工作台实现，所述的平面反射镜、第一 球面反射镜、第二球面反射镜和光陷阱之间的位置满足几何光 学的物像关系。本实用新型解决了光学元件易损伤；使待测硅 片的缺陷散射光强倍增并且两次缺陷散射光比较集中，有利于 收集；避开了硅片表面散射信号的干扰。 |
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