| 专利名称 | 降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用 | 申请号 | CN201110040708.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102176500A | 公开（授权）日 | 2011.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王敏锐;方运;张宝顺;杨辉 | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用 至降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用。该微纳米结构的图形由阵列排布的复数个封闭单元组成，每一封闭单元为由微纳米凸起脊相互连接成的三角形结构或六边形结构，且每一封闭单元在平行于衬底表面的平面内形成的各夹角之和为180°的整数倍；微纳米凸起脊的垂直截面为顶点与底边两个端点之间各由两条曲线连接的多边形截面结构。所述微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在互相连接的凸起脊的顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命，同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率。 |
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