| 专利名称 | 导电氧化物纳米粉体的制备方法 | 申请号 | CN201110046789.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102176339A | 公开（授权）日 | 2011.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李冬松;陈立桅 | 主分类号 | H01B1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 导电氧化物纳米粉体的制备方法 至导电氧化物纳米粉体的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种导电氧化物纳米粉体的制备方法，方法为：以含锡化合物，含锑化合物或含铟化合物，醇类和/或胺类，以及过量的强碱加入水热反应釜中；将水热反应釜置于100℃-140℃环境下，保温2-2.5小时，使反应物充分反应，得到导电氧化物前体；将所述导电氧化物前体置于温度为400℃-650℃的空气中烧结，得到导电氧化物纳米粉体。本发明所提供的导电氧化物纳米粉体的制备方法，其原材料方便易得、制备工艺简单、制备成本低，适合工业化生产。 |
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