| 专利名称 | 离子源弧电源打坑系统 | 申请号 | CN201020691889.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201967234U | 公开（授权）日 | 2011.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡纯栋;蒋才超;刘胜;刘智民 | 主分类号 | H05H1/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H05H1/48(2006.01)I | 专利有效期 | 离子源弧电源打坑系统 至离子源弧电源打坑系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种离子源弧电源打坑系统，其主要包括：弧电源输出端并联的多只绝缘栅双极型晶体管和电阻组合的支路；由阶梯脉冲编码器和绝缘栅双极型晶体管触发板构成的触发系统；阶梯脉冲编码器设置有外部控制其脉冲输出的接口，用于接收离子源引出高压开通和打火时刻的信号。本实用新型大大简化控制触发脉冲的设计，不同打坑时间通过软件设置，使得整个系统的操作更加的简单，保证了对打坑时间的快速性的要求，能控制弧电源输出电流在微妙至毫秒的时间范围内被旁路20%～30%，满足了在离子源引出高压投入或打火时刻与弧电流相匹配的要求。 |
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