| 专利名称 | 一种半导体结构及其制备方法 | 申请号 | CN201010215167.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299178A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;刘洪刚;朱慧珑;钟汇才 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制备方法 至一种半导体结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的源区和漏区；形成在所述衬底之上的栅极接触区；和形成在所述衬底之上位于所述源区和漏区之间的堆叠结构，所述堆叠结构包括至少一个单元，所述单元包括第一栅极、第二栅极以及形成在所述第一栅极和第二栅极之间的沟道。通过这种堆叠型FET器件的结构，能够有效缩小器件尺寸，增强沟道控制能力，使低能耗高速度的22nm及以下的新一代VLSI技术得以实现。 |
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