| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010220687.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299077A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;王晓磊;韩锴;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层和第一高k栅介质层；在所述第一栅介质层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成第二高k栅介质层；在所述第二高k栅介质层上形成金属栅极层；对器件进行热退火处理，所述扩散阻挡层用于在退火处理中阻挡第一高k栅介质层中的某些掺杂元素，如氮元素向栅叠层外的扩散，同时还能阻挡退火环境中的氧元素向下层衬底扩散。本发明还提供了一种半导体器件。通过本发明能够减小第一高k栅介质层中的某些掺杂元素，如氮元素在高温退火工艺中的损失量，同时还能阻挡退火环境中的氧元素向下层衬底扩散，从而能够避免器件的可靠性降低和界面层再生长等问题。 |
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